Тема №12.Современные тенденции развития архитектуры ЭВМ.

Основу любого процессора составляет полупроводниковый вентильный элемент -- транзистор. Принцип работы его известен из школьного курса физики. Транзистор позволяет управлять электрическим сопротивлением проводника при помощи электрического тока, проходящего через базу (биполярный транзистор), или электрического напряжения, подаваемого на затвор (полевой транзистор). Если ввести обратную связь, то есть подать часть выходного сигнала транзистора на его вход, то можно заставить прибор работать в двух стабильных состояниях, которые соответствуют логическим 0 и 1.

На основе двух транзисторов можно создать ячейку, информационная емкость которой будет равна 1 биту. Восемь таких ячеек имеют информационную емкость, равную одному байту. Легко подсчитать, сколько транзисторов должны иметь микросхемы, способные хранить и обрабатывать информацию в сотни мегабайт. Причем для корректной работы схемы все транзисторы должны работать синхронно.

А вот здесь начинаются ограничения. Электрон -- носитель электрического заряда и, как следствие, основной переносчик информации, хоть и является с точки зрения квантовой физики частицей легкой, все-таки имеет некоторую массу, а следовательно и инерционность. Его нельзя мгновенно остановить или мгновенно привести в движение. Скорость одного конкретного электрона неизвестна. Можно говорить только об общих статистических закономерностях поведения некоторой достаточно большой группы электронов. А большая группа -- это еще большая масса, для разгона или остановки которой нужно время и энергия.

При движении любой заряженной частицы возникает электромагнитное поле. На создание этого поля также расходуется энергия, которая в конечном счете приводит к нагреванию кристалла, что тоже грозит неприятностями. Волновые и резонансные свойства проводников на высоких частотах -- отдельный вопрос, которого касаться не будем. Поэтому существуют различные проекты по созданию транзистора без электрона, о которых мы поговорим позднее.

Ну а пока потребность в более быстрых, дешевых и универсальных процессорах вынуждает производителей постоянно наращивать число транзисторов в них. Однако этот процесс не бесконечен. Поддерживать экспоненциальный рост этого числа, предсказанный Гордоном Муром в 1973 году, становится все труднее. Специалисты утверждают, что этот закон перестанет действовать, как только затворы транзисторов, регулирующие потоки информации в чипе, станут соизмеримыми с длиной волны электрона(в кремнии, на котором сейчас строится производство, это порядка 10 нанометров). И произойдет это где-то между 2010 и 2020 годами. По мере приближения к физическому пределу архитектура компьютеров становится все более изощренной, возрастает стоимость проектирования, изготовления и тестирования чипов. Таким образом, этап эволюционного развития рано или позно сменится революционными изменениями.

В результате гонки наращивания производительности возникает множество проблем. Наиболее острая из них - перегрев в сверхплотной упаковке, вызванный существенно меньшей площадью теплоотдачи. Концентрация энергии в современных микропроцессорах чрезвычайно высока. Нынешние стратегии рассеяния образующегося тепла, такие как снижение питающего напряжения или избирательная активация только нужных частей в микроцепях малоэффективны, если не применять активного охлаждения.

С уменьшением размеров транзисторов стали тоньше и изолирующие слои, а значит, снизилась и их надежность, поскольку электроны могут проникать через тенкие изоляторы(туннельный эффект). Данную проблему можно решить снижением управляющего напряжения, но лишь до определенных пределов.

Технология SOI(Silicon On Insulator) уменьшила емкость соединений и улучшила характеристики транзисторов. Это позволило снизить управляющее напряжения, но возросла и стоимость изготовления, увеличился процент брака, снизилась устойчивость всей системы к ошибкам. Альтернативное направление - переход на арсенид галлия, который позволяет получить более быстрые тарнзисторы N-типа, однако, к сожалению, столь же важные транзисторы P-типа получаются более медленными, если не использовать высокоэнергетические уровни, что делает их непригодными для массового производства. Поэтому кремниевая технология должна пережить еще несколько поколений процессоров.

Еще одна проблема заключается в том, что со снижением размеров уменьшается скорость срабатывания транзисторов и перестает соответствовать скорости распространения сигнала по внутрисхемным соединениям. Более тонкие проводники, соединяющие транзисторы, имеют и более высокое сопротивление, а значит и - неприемлимо высокую задержку распространения сигнала. С каждым новым поколением процессоров пропускная способность межэлементных соединений падала, поскольку возрастали сопротивление и емкость. Эта проблема была отчасти решена путем использования многослойных соединений. Например, у процессора Pentium 4 семь слоев разводки цепей, причем каждый имеет собственный рисунок и расположен внутри изолирующего материала. В нем оставляют "окна", которые заполняют металлом(медью), формируя электрические соединения между слоями. Микропроцессор при этом делится на блоки, что ограничивает сигналы локалбными маштабами блока и снижает задержки. Толстые проводники с малой задержкой сигнала соединяют компоненты, далеко отстоящие друг от друга, а тонкие - соседние компоненты.

В качестве материала межсоединений медь окончательно и бесповоротно придет на смену алюминию, так как у нее ниже удельное сопротивление. Однако она подвержена диффузии в кремнии, что потребует изоляции медных соединений. Возможно, на смену диоксиду кремния придет какой-нибудь иной изоляционный материал, например, синтезированный на основе обычного стекла, что позволит снизить емкость межсоединений. Более решительным шагом может стать использование в качестве межсоединений сверхпроводящих материалов, но пока не найдено такого материала, который показал бы нужные свойства в условиях температуры и тока, характерных для интегральных схем. Другой подход - применение оптических внутрисхемных соединений, хотя здесь вступабт в силу ограничения по размерам (волокна не должны быть тоньше длины волны света, который они передают), к тому же требуется преобразование световых импульсов в электрические и наоборот, что может серьезно снизить общую производительность. Перспективными в данном направлении представляются результаты, полученные британскими учеными: оперируя на атомном уровне, они смогли сделать некоторые области кремниевой подложки светоизлучающими. Обычные светоизлучающие устройства встроить в кремниевые чипы невозможно, но если для передачи данных использовать "естественный" свет подложки, это позволит передавать сигналы быстрее и сделает чипы еще более миниатюрными.

На сегодняшний день основное условие повышения производительности процессоров - методы параллелизма. Как известно, микропроцессор обрабатывает последовательность инструкций(команд), составляющих ту или иную программу. Если организовать параллельное(то есть одновременное) выполнение инструкций, общая производительность существенно вырастет. Решается проблема параллелизма методами конвейеризации вычислений, применением суперскалярной архитектуры и предсказанием ветвлений.

Теперь попробуем посмотреть по какому пути пойдет развитие архитектуры ЭВМ в ближайшем будущем.

Теперь рассмотрим архитектуры, которые основаны не на креимневых технологиях и которые могут прийти к нему на смену: